Dansk
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Om os | Kontakt os | Anmode om et tilbud |
Hjem > Produkter > Diskrete halvlederprodukter > Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF > NE3521M04-T2-A
NE3521M04-T2-A
Varenummer:
NE3521M04-T2-A
Fabrikant:
CEL (California Eastern Laboratories)
Beskrivelse:
IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Blyfri / RoHS-kompatibel
Antal:
68438 Pieces
Leveringstid:
1-2 days
Datablad:
NE3521M04-T2-A.pdf
Forespørgsel

Introduktion

NE3521M04-T2-A bedste pris og hurtig levering.
BOSER Technology er distributør for NE3521M04-T2-A, vi har bestande til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan for NE3521M04-T2-A via e-mail, vi vil give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Vores email: [email protected]

specifikationer

Tilstand New and Original
Oprindelse Contact us
Distributør Boser Technology
Spænding - Test:2V
Spændingsvurdering:4V
Transistor Type:N-Channel GaAs HJ-FET
Serie:-
Power - Output:-
Emballage:Tape & Reel (TR)
Pakke / tilfælde:4-SMD, Flat Leads
Andre navne:NE3521M04-T2-ATR
Støj figur:0.85dB
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Blyfri Status / RoHS Status:Lead free / RoHS Compliant
Gevinst:11dB
Frekvens:20GHz
Detaljeret beskrivelse:RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 6mA 20GHz 11dB
Nuværende vurdering:70mA
Nuværende - Test:6mA
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer

Relaterede dele til NE3521M04-T2-A

Billede Varenummer producenter Beskrivelse Udsigt
NE3513M04-A Image NE3513M04-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD Forespørgsel
NE3517S03-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 20GHZ S03 Forespørgsel
NE3512S02-A Image NE3512S02-A CEL (California Eastern Laboratories) HJ-FET NCH 13.5DB S02 Forespørgsel
NE3511S02-A Image NE3511S02-A CEL (California Eastern Laboratories) HJ-FET NCH 13.5DB S02 Forespørgsel
NE3516S02-T1C-A Image NE3516S02-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX Forespørgsel
NE3515S02-A Image NE3515S02-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 Forespørgsel
NE3512S02-T1C-A Image NE3512S02-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) HJ-FET NCH 13.5DB S02 Forespørgsel
NE3520S03-T1C-A Image NE3520S03-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 20GHZ S03 Forespørgsel
NE3510M04-T2-A Image NE3510M04-T2-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 4GHZ M04 Forespørgsel
NE3516S02-A Image NE3516S02-A CEL (California Eastern Laboratories) IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX Forespørgsel
NE3514S02-T1C-A Image NE3514S02-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) HJ-FET NCH 10DB S02 Forespørgsel
NE3521M04-A CEL (California Eastern Laboratories) IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI Forespørgsel
NE3520S03-A Image NE3520S03-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 20GHZ S03 Forespørgsel
NE3513M04-T2-A Image NE3513M04-T2-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD Forespørgsel
NE3515S02-T1C-A Image NE3515S02-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 Forespørgsel
NE3514S02-A Image NE3514S02-A CEL (California Eastern Laboratories) HJ-FET NCH 10DB S02 Forespørgsel
NE3510M04-A Image NE3510M04-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 4GHZ M04 Forespørgsel
NE3511S02-T1C-A Image NE3511S02-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) IC AMP RF LNA 13.5DB S02 Forespørgsel
NE3515S02-T1D-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 Forespørgsel
NE3513M04-T2B-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD Forespørgsel

Laast News