Dansk
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Om os | Kontakt os | Anmode om et tilbud |
Hjem > Produkter > Diskrete halvlederprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > JAN1N6630
JAN1N6630
Varenummer:
JAN1N6630
Fabrikant:
Microsemi
Beskrivelse:
DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Indeholder bly / RoHS ikke-kompatibel
Antal:
41770 Pieces
Leveringstid:
1-2 days
Datablad:
JAN1N6630.pdf
Forespørgsel

Introduktion

JAN1N6630 bedste pris og hurtig levering.
BOSER Technology er distributør for JAN1N6630, vi har bestande til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan for JAN1N6630 via e-mail, vi vil give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Vores email: [email protected]

specifikationer

Tilstand New and Original
Oprindelse Contact us
Distributør Boser Technology
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis:1.4V @ 1.4A
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max):900V
Fart:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:Military, MIL-PRF-19500/590
Reverse Recovery Time (trr):50ns
Emballage:Bulk
Pakke / tilfælde:E, Axial
Andre navne:1086-19991
1086-19991-MIL
Driftstemperatur - Junction:-65°C ~ 150°C
Monteringstype:Through Hole
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Blyfri Status / RoHS Status:Contains lead / RoHS non-compliant
Diodetype:Standard
Detaljeret beskrivelse:Diode Standard 900V 1.4A Through Hole
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr:2µA @ 900V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io):1.4A
Kapacitans @ Vr, F:-
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer

Relaterede dele til JAN1N6630

Billede Varenummer producenter Beskrivelse Udsigt
JAN1N6627US Image JAN1N6627US Microsemi DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B Forespørgsel
JAN1N6627 Microsemi DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL Forespørgsel
JAN1N6629US Image JAN1N6629US Microsemi DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B Forespørgsel
JAN1N6631US Image JAN1N6631US Microsemi DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B Forespørgsel
JAN1N6639 Microsemi DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL Forespørgsel
JAN1N6638U Microsemi DIODE GEN PURP 150V 300MA B-MELF Forespørgsel
JAN1N6626US Microsemi DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B Forespørgsel
JAN1N6627U Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF Forespørgsel
JAN1N6628 Microsemi DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL Forespørgsel
JAN1N6630U Microsemi DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF Forespørgsel
JAN1N6638US Microsemi DIODE GEN PURP 150V 300MA D-MELF Forespørgsel
JAN1N6629 Microsemi DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL Forespørgsel
JAN1N6631 Microsemi DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL Forespørgsel
JAN1N6639US Microsemi DIODE GEN PURP 75V 300MA B-MELF Forespørgsel
JAN1N6630US Microsemi DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF Forespørgsel
JAN1N6638 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 150V 300MA AXIAL Forespørgsel
JAN1N6631U Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF Forespørgsel
JAN1N6629U Microsemi DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF Forespørgsel
JAN1N6628U Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF Forespørgsel
JAN1N6628US Image JAN1N6628US Microsemi DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B Forespørgsel

Laast News