Čeština
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
O nás | Kontaktujte nás | Požádejte o nabídku |
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - Usměrňovače - Jednoduché > JAN1N6630
JAN1N6630
Part Number:
JAN1N6630
Výrobce:
Microsemi
Popis:
DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
Množství:
41770 Pieces
Čas doručení:
1-2 days
Datový list:
JAN1N6630.pdf
Dotaz

Úvod

JAN1N6630 nejlepší cenu a rychlé dodání.
BOSER Technology je distributorem JAN1N6630, máme zásoby pro okamžitou expedici a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky. Prosím, pošlete nám svůj nákupní plán pro JAN1N6630 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Náš email: [email protected]

Specifikace

Stav New and Original
Původ Contact us
Distributor Boser Technology
Napětí - Forward (VF) (Max) @-li:1.4V @ 1.4A
Napětí - DC Reverse (Vr) (Max):900V
Rychlost:Fast Recovery = 200mA (Io)
Série:Military, MIL-PRF-19500/590
Reverse Time Recovery (TRR):50ns
Obal:Bulk
Paket / krabice:E, Axial
Ostatní jména:1086-19991
1086-19991-MIL
Provozní teplota - spojení:-65°C ~ 150°C
Typ montáže:Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Stav volného vedení / RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Diode Type:Standard
Detailní popis:Diode Standard 900V 1.4A Through Hole
Proud - zpìtný únikový @ Vr:2µA @ 900V
Proud - Průměrná Rektifikova (Io):1.4A
Kapacitní @ Vr, F:-
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře

Související díly pro JAN1N6630

Obraz Part Number Výrobci Popis Pohled
JAN1N6627US Image JAN1N6627US Microsemi DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B Dotaz
JAN1N6627 Microsemi DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL Dotaz
JAN1N6629US Image JAN1N6629US Microsemi DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B Dotaz
JAN1N6631US Image JAN1N6631US Microsemi DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B Dotaz
JAN1N6639 Microsemi DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL Dotaz
JAN1N6638U Microsemi DIODE GEN PURP 150V 300MA B-MELF Dotaz
JAN1N6626US Microsemi DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B Dotaz
JAN1N6627U Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF Dotaz
JAN1N6628 Microsemi DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL Dotaz
JAN1N6630U Microsemi DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF Dotaz
JAN1N6638US Microsemi DIODE GEN PURP 150V 300MA D-MELF Dotaz
JAN1N6629 Microsemi DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL Dotaz
JAN1N6631 Microsemi DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL Dotaz
JAN1N6639US Microsemi DIODE GEN PURP 75V 300MA B-MELF Dotaz
JAN1N6630US Microsemi DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF Dotaz
JAN1N6638 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 150V 300MA AXIAL Dotaz
JAN1N6631U Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF Dotaz
JAN1N6629U Microsemi DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF Dotaz
JAN1N6628U Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF Dotaz
JAN1N6628US Image JAN1N6628US Microsemi DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B Dotaz

Latest News