ZXMP6A17N8TC
ZXMP6A17N8TC
Artikelnummer:
ZXMP6A17N8TC
Hersteller:
Diodes Incorporated
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
50855 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
ZXMP6A17N8TC.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:8-SO
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:125 mOhm @ 2.3A, 10V
Verlustleistung (max):1.56W (Ta)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen:ZXMP6A17N8TCTR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:637pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:17.7nC @ 10V
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):60V
detaillierte Beschreibung:P-Channel 60V 2.7A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:2.7A (Ta)
Email:[email protected]

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