ZXMN3B04N8TA
ZXMN3B04N8TA
Artikelnummer:
ZXMN3B04N8TA
Hersteller:
Diodes Incorporated
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
65464 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
ZXMN3B04N8TA.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:700mV @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:8-SO
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:25 mOhm @ 7.2A, 4.5V
Verlustleistung (max):2W (Ta)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen:ZXMN3B04N8TR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:33 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:2480pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:23.1nC @ 4.5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 30V 7.2A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:7.2A (Ta)
Email:[email protected]

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