ZXMHC6A07N8TC
ZXMHC6A07N8TC
Artikelnummer:
ZXMHC6A07N8TC
Hersteller:
Diodes Incorporated
Beschreibung:
MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
71314 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
ZXMHC6A07N8TC.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse:8-SOP
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:250 mOhm @ 1.8A, 10V
Leistung - max:870mW
Verpackung:Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen:ZXMHC6A07N8DIDKR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:166pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:3.2nC @ 10V
Typ FET:2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET-Merkmal:Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):60V
detaillierte Beschreibung:Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 60V 1.39A, 1.28A 870mW Surface Mount 8-SOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:1.39A, 1.28A
Basisteilenummer:ZXMHC6A07
Email:[email protected]

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