W987D6HBGX7E TR
W987D6HBGX7E TR
Artikelnummer:
W987D6HBGX7E TR
Hersteller:
Winbond Electronics Corporation
Beschreibung:
IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
65396 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
W987D6HBGX7E TR.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:15ns
Spannungsversorgung:1.7 V ~ 1.95 V
Technologie:SDRAM - Mobile LPSDR
Supplier Device-Gehäuse:54-VFBGA (8x9)
Serie:-
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:54-TFBGA
Andere Namen:W987D6HBGX7E TR-ND
W987D6HBGX7ETR
Betriebstemperatur:-25°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Speichertyp:Volatile
Speichergröße:128Mb (8M x 16)
Speicherschnittstelle:Parallel
Speicherformat:DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 133MHz 5.4ns 54-VFBGA (8x9)
Uhrfrequenz:133MHz
Zugriffszeit:5.4ns
Email:[email protected]

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