W979H6KBVX2I TR
W979H6KBVX2I TR
Artikelnummer:
W979H6KBVX2I TR
Hersteller:
Winbond Electronics Corporation
Beschreibung:
IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
56142 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
W979H6KBVX2I TR.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:15ns
Spannungsversorgung:1.14 V ~ 1.95 V
Technologie:SDRAM - Mobile LPDDR2
Supplier Device-Gehäuse:134-VFBGA (10x11.5)
Serie:-
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:134-VFBGA
Andere Namen:W979H6KBVX2I TR-ND
W979H6KBVX2ITR
Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Speichertyp:Volatile
Speichergröße:512Mb (32M x 16)
Speicherschnittstelle:Parallel
Speicherformat:DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 400MHz 134-VFBGA (10x11.5)
Uhrfrequenz:400MHz
Email:[email protected]

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