W947D2HBJX5I TR
W947D2HBJX5I TR
Artikelnummer:
W947D2HBJX5I TR
Hersteller:
Winbond Electronics Corporation
Beschreibung:
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
46110 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
W947D2HBJX5I TR.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:15ns
Spannungsversorgung:1.7 V ~ 1.95 V
Technologie:SDRAM - Mobile LPDDR
Supplier Device-Gehäuse:90-VFBGA (8x13)
Serie:-
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:90-TFBGA
Andere Namen:W947D2HBJX5I TR-ND
W947D2HBJX5ITR
Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Speichertyp:Volatile
Speichergröße:128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle:Parallel
Speicherformat:DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 200MHz 5ns 90-VFBGA (8x13)
Uhrfrequenz:200MHz
Zugriffszeit:5ns
Email:[email protected]

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