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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased > UNR521400L
UNR521400L
UNR521400L
Artikelnummer:
UNR521400L
Hersteller:
Panasonic
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
46084 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
UNR521400L.pdf
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Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
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Verteiler Boser Technology
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Transistor-Typ:NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse:SMini3-G1
Serie:-
Widerstand - Emitterbasis (R2):47 kOhms
Widerstand - Basis (R1):10 kOhms
Leistung - max:150mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:SC-70, SOT-323
Andere Namen:UN5214-(TX)
UN5214-TX
UN5214TR
UN5214TR-ND
UNR521400LTR
UNR524100L
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang:150MHz
detaillierte Beschreibung:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 150mW Surface Mount SMini3-G1
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:80 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max):500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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Image Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
UNR5211G0L Image UNR5211G0L Panasonic TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3 Anfrage
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