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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased > UNR211700L
UNR211700L
UNR211700L
Artikelnummer:
UNR211700L
Hersteller:
Panasonic
Beschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
52773 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
UNR211700L.pdf
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Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Transistor-Typ:PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse:Mini3-G1
Serie:-
Widerstand - Basis (R1):22 kOhms
Leistung - max:200mW
Verpackung:Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen:UN2117
UN2117CT
UN2117CT-ND
UNR211700LCT
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang:80MHz
detaillierte Beschreibung:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 200mW Surface Mount Mini3-G1
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:160 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max):500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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Image Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
UNR211V00L Image UNR211V00L Panasonic TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3 Anfrage
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