TPN8R903NL,LQ
TPN8R903NL,LQ
Artikelnummer:
TPN8R903NL,LQ
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 20A TSON
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
44316 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
TPN8R903NL,LQ.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.3V @ 100µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:8-TSON Advance (3.3x3.3)
Serie:U-MOSVIII-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs:8.9 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max):700mW (Ta), 22W (Tc)
Verpackung:Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse:8-PowerVDFN
Andere Namen:TPN8R903NLLQDKR
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:820pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:9.8nC @ 4.5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 30V 20A (Tc) 700mW (Ta), 22W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

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