STP9NM50N
STP9NM50N
Artikelnummer:
STP9NM50N
Hersteller:
STMicroelectronics
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 7.5A TO-220
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
21455 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
STP9NM50N.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220AB
Serie:MDmesh™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:560 mOhm @ 3.7A, 10V
Verlustleistung (max):70W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Andere Namen:497-7537-5
STP9NM50N-ND
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:570pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):500V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 500V 5A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:5A (Tc)
Email:[email protected]

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