STP9N80K5
STP9N80K5
Artikelnummer:
STP9N80K5
Hersteller:
STMicroelectronics
Beschreibung:
MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO220
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
36832 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
STP9N80K5.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 100µA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220
Serie:MDmesh™ K5
Rds On (Max) @ Id, Vgs:900 mOhm @ 3.5A, 10V
Verlustleistung (max):110W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:42 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:340pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):800V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 800V 7A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

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