STFU9N65M2
STFU9N65M2
Artikelnummer:
STFU9N65M2
Hersteller:
STMicroelectronics
Beschreibung:
MOSFET
Anzahl:
73236 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
STFU9N65M2.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220FP
Serie:MDmesh™ M2
Rds On (Max) @ Id, Vgs:900 mOhm @ 2.5A, 10V
Verlustleistung (max):20W (Tc)
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3 Full Pack
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Hersteller Standard Vorlaufzeit:42 Weeks
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:315pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):650V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 650V 5A (Tc) 20W (Tc) Through Hole TO-220FP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:5A (Tc)
Email:[email protected]

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