SSM3J36MFV,L3F
SSM3J36MFV,L3F
Artikelnummer:
SSM3J36MFV,L3F
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
64216 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
SSM3J36MFV,L3F.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):±8V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:VESM
Serie:U-MOSIII
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V
Verlustleistung (max):150mW (Ta)
Verpackung:Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse:SOT-723
Andere Namen:SSM3J36MFV(TL3T)DKR
SSM3J36MFV(TL3T)DKR-ND
SSM3J36MFVL3FDKR
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:43pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:1.2nC @ 4V
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss):20V
detaillierte Beschreibung:P-Channel 20V 330mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:330mA (Ta)
Email:[email protected]

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