SQS966ENW-T1_GE3
Artikelnummer:
SQS966ENW-T1_GE3
Hersteller:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung:
MOSFET N-CHAN 60V
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
27056 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
SQS966ENW-T1_GE3.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse:PowerPAK® 1212-8W
Serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:36 mOhm @ 1.25A, 10V
Leistung - max:27.8W (Tc)
Verpackung:Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse:PowerPAK® 1212-8W
Andere Namen:SQS966ENW-T1_GE3DKR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:572pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:8.8nC @ 10V
Typ FET:2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal:Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss):60V
detaillierte Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6A (Tc) 27.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8W
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

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