SQJB00EP-T1_GE3
SQJB00EP-T1_GE3
Artikelnummer:
SQJB00EP-T1_GE3
Hersteller:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung:
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
28233 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
SQJB00EP-T1_GE3.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse:PowerPAK® SO-8 Dual
Serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:13 mOhm @ 10A, 10V
Leistung - max:48W
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:PowerPAK® SO-8 Dual
Andere Namen:SQJB00EP-T1_GE3TR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
Typ FET:2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal:Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss):60V
detaillierte Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

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