SIB433EDK-T1-GE3
SIB433EDK-T1-GE3
Artikelnummer:
SIB433EDK-T1-GE3
Hersteller:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 9A SC-75-6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
59998 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
SIB433EDK-T1-GE3.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:PowerPAK® SC-75-6L Single
Serie:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:58 mOhm @ 3.7A, 4.5V
Verlustleistung (max):2.4W (Ta), 13W (Tc)
Verpackung:Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse:PowerPAK® SC-75-6L
Andere Namen:SIB433EDK-T1-GE3CT
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:21nC @ 8V
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss):20V
detaillierte Beschreibung:P-Channel 20V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

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