SI8447DB-T2-E1
Artikelnummer:
SI8447DB-T2-E1
Hersteller:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 11A MICROFOOT
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
52152 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
SI8447DB-T2-E1.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1.2V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:6-Micro Foot™ (1.5x1)
Serie:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:75 mOhm @ 1A, 4.5V
Verlustleistung (max):2.77W (Ta), 13W (Tc)
Verpackung:Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse:6-MICRO FOOT™
Andere Namen:SI8447DB-T2-E1DKR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:600pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):1.7V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss):20V
detaillierte Beschreibung:P-Channel 20V 11A (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

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