SI7100DN-T1-GE3
SI7100DN-T1-GE3
Artikelnummer:
SI7100DN-T1-GE3
Hersteller:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung:
MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
35131 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
SI7100DN-T1-GE3.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:PowerPAK® 1212-8
Serie:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3.5 mOhm @ 15A, 4.5V
Verlustleistung (max):3.8W (Ta), 52W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:PowerPAK® 1212-8
Betriebstemperatur:-50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:3810pF @ 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:105nC @ 8V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss):8V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 8V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

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