SI5858DU-T1-GE3
SI5858DU-T1-GE3
Artikelnummer:
SI5858DU-T1-GE3
Hersteller:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
82659 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
SI5858DU-T1-GE3.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:PowerPAK® ChipFet Dual
Serie:LITTLE FOOT®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:39 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Verlustleistung (max):2.3W (Ta), 8.3W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:PowerPAK® ChipFET™ Dual
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:520pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 8V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:Schottky Diode (Isolated)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss):20V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 20V 6A (Tc) 2.3W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

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