SI4226DY-T1-GE3
Artikelnummer:
SI4226DY-T1-GE3
Hersteller:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
52430 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
SI4226DY-T1-GE3.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse:8-SO
Serie:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:19.5 mOhm @ 7A, 4.5V
Leistung - max:3.2W
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen:SI4226DY-T1-GE3TR
SI4226DYT1GE3
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1255pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:36nC @ 10V
Typ FET:2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal:Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss):25V
detaillierte Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 8A 3.2W Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:8A
Basisteilenummer:SI4226
Email:[email protected]

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