SI2372DS-T1-GE3
Artikelnummer:
SI2372DS-T1-GE3
Hersteller:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung:
MOSFET N-CHAN 30V SOT23
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
61166 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
SI2372DS-T1-GE3.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:SOT-23-3 (TO-236)
Serie:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:33 mOhm @ 3A, 10V
Verlustleistung (max):960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen:SI2372DS-T1-GE3TR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:288pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:8.9nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 30V 4A (Ta), 5.3A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:4A (Ta), 5.3A (Tc)
Email:[email protected]

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