SI1050X-T1-E3
SI1050X-T1-E3
Artikelnummer:
SI1050X-T1-E3
Hersteller:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung:
MOSFET N-CH 8V 1.34A SOT563F
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
69475 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
SI1050X-T1-E3.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:900mV @ 250µA
Vgs (Max):±5V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:SC-89-6
Serie:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:86 mOhm @ 1.34A, 4.5V
Verlustleistung (max):236mW (Ta)
Verpackung:Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse:SOT-563, SOT-666
Andere Namen:SI1050X-T1-E3DKR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:585pF @ 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:11.6nC @ 5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss):8V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 8V 1.34A (Ta) 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:1.34A (Ta)
Email:[email protected]

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