SGP10N60RUFDTU
Artikelnummer:
SGP10N60RUFDTU
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
IGBT 600V 16A 75W TO220
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
60604 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
1.SGP10N60RUFDTU.pdf2.SGP10N60RUFDTU.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
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Verteiler Boser Technology
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:2.8V @ 15V, 10A
Testbedingung:300V, 10A, 20 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C:15ns/36ns
Schaltenergie:141µJ (on), 215µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220-3
Serie:-
Rückwärts-Erholzeit (Trr):60ns
Leistung - max:75W
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Andere Namen:SGP10N60RUFDTU-ND
SGP10N60RUFDTUFS
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp:Standard
IGBT-Typ:-
Gate-Ladung:30nC
detaillierte Beschreibung:IGBT 600V 16A 75W Through Hole TO-220-3
Strom - Collector Pulsed (Icm):30A
Strom - Kollektor (Ic) (max):16A
Basisteilenummer:SG*10N60
Email:[email protected]

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