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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > S27KS0641DPBHB023
S27KS0641DPBHB023
Artikelnummer:
S27KS0641DPBHB023
Hersteller:
Cypress Semiconductor
Beschreibung:
IC DRAM 64M PARALLEL 166MHZ
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
56712 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
S27KS0641DPBHB023.pdf
Anfrage

Einführung

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BOSER Technology ist der Distributor für S27KS0641DPBHB023, wir haben die Lagerbestände für den sofortigen Versand und auch für Langzeitbelieferung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für S27KS0641DPBHB023 per E-Mail, wir geben Ihnen den besten Preis entsprechend Ihres Plans.
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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:-
Spannungsversorgung:1.7 V ~ 1.95 V
Technologie:DRAM
Serie:Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KS
Betriebstemperatur:-40°C ~ 105°C (TA)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Speichertyp:Volatile
Speichergröße:64Mb (8M x 8)
Speicherschnittstelle:Parallel
Speicherformat:DRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit:15 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:DRAM Memory IC 64Mb (8M x 8) Parallel 166MHz 40ns
Uhrfrequenz:166MHz
Zugriffszeit:40ns
Email:[email protected]

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