RN4986FE,LF(CB
RN4986FE,LF(CB
Artikelnummer:
RN4986FE,LF(CB
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
44930 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
RN4986FE,LF(CB.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
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Verteiler Boser Technology
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse:ES6
Serie:-
Widerstand - Emitterbasis (R2):47 kOhms
Widerstand - Basis (R1):4.7 kOhms
Leistung - max:100mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:SOT-563, SOT-666
Andere Namen:RN4986FE(T5L,F,T)
RN4986FE(T5LFT)TR
RN4986FE(T5LFT)TR-ND
RN4986FE,LF(CT
RN4986FELF(CBTR
RN4986FELF(CTTR
RN4986FELF(CTTR-ND
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang:250MHz, 200MHz
detaillierte Beschreibung:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:80 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max):500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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