RN1442ATE85LF
Artikelnummer:
RN1442ATE85LF
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
81976 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
RN1442ATE85LF.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):20V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:100mV @ 3mA, 30mA
Transistor-Typ:NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse:S-Mini
Serie:-
Widerstand - Basis (R1):10 kOhms
Leistung - max:200mW
Verpackung:Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen:RN1442ATE85LFDKR
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang:30MHz
detaillierte Beschreibung:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 300mA 30MHz 200mW Surface Mount S-Mini
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:200 @ 4mA, 2V
Strom - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max):300mA
Email:[email protected]

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