RN1117MFV,L3F
RN1117MFV,L3F
Artikelnummer:
RN1117MFV,L3F
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung:
TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
33407 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
RN1117MFV,L3F.pdf

Einführung

RN1117MFV,L3F bester Preis und schnelle Lieferung.
BOSER Technology ist der Distributor für RN1117MFV,L3F, wir haben die Lagerbestände für den sofortigen Versand und auch für Langzeitbelieferung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für RN1117MFV,L3F per E-Mail, wir geben Ihnen den besten Preis entsprechend Ihres Plans.
Unsere E-Mail: [email protected]

Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 5mA
Transistor-Typ:NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse:VESM
Serie:-
Widerstand - Emitterbasis (R2):4.7 kOhms
Widerstand - Basis (R1):10 kOhms
Leistung - max:150mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:SOT-723
Andere Namen:RN1117MFVL3F
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang:250MHz
detaillierte Beschreibung:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VESM
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:30 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max):500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

Schnell Angebot anfordern

Artikelnummer
Anzahl
Unternehmen
Email
Telefon
Bemerkung/Erläuterung