RD3H200SNTL1
RD3H200SNTL1
Artikelnummer:
RD3H200SNTL1
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
NCH 45V 20A POWER MOSFET
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
53712 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
RD3H200SNTL1.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-252
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:28 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max):20W (Tc)
Verpackung:Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen:RD3H200SNTL1CT
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:13 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:950pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):45V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 45V 20A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount TO-252
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:20A (Ta)
Email:[email protected]

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