QS6J11TR
QS6J11TR
Artikelnummer:
QS6J11TR
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
24268 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
1.QS6J11TR.pdf2.QS6J11TR.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse:TSMT6 (SC-95)
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:105 mOhm @ 2A, 4.5V
Leistung - max:600mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:770pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:6.5nC @ 4.5V
Typ FET:2 P-Channel (Dual)
FET-Merkmal:Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):12V
detaillierte Beschreibung:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 2A 600mW Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:2A
Basisteilenummer:*J11
Email:[email protected]

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