| Bedingung | New and Original |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Verteiler | Boser Technology |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 100V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 200mV @ 100mA, 1A |
| Transistor-Typ: | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-92-3 |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 830mW |
| Verpackung: | Tape & Box (TB) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Andere Namen: | 934057671126 PBSS8110S AMO PBSS8110S AMO-ND |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | 100MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 1A 100MHz 830mW Through Hole TO-92-3 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 150 @ 250mA, 10V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 100nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 1A |
| Basisteilenummer: | PBSS8110 |
| Email: | [email protected] |
