NVLJD4007NZTBG
NVLJD4007NZTBG
Artikelnummer:
NVLJD4007NZTBG
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 0.245A WDFN6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
57233 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
NVLJD4007NZTBG.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 100µA
Supplier Device-Gehäuse:6-WDFN (2x2)
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:7 Ohm @ 125mA, 4.5V
Leistung - max:755mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:6-WDFN Exposed Pad
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:4 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:20pF @ 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:0.75nC @ 4.5V
Typ FET:2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal:Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
detaillierte Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 245mA 755mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:245mA
Email:[email protected]

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