NVF2955T1G
NVF2955T1G
Artikelnummer:
NVF2955T1G
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
58675 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
NVF2955T1G.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:SOT-223 (TO-261)
Serie:Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs:170 mOhm @ 750mA, 10V
Verlustleistung (max):1W (Ta)
Verpackung:Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse:TO-261-4, TO-261AA
Andere Namen:NVF2955T1GOSCT
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:30 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:492pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:14.3nC @ 10V
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):60V
detaillierte Beschreibung:P-Channel 60V 2.6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:2.6A (Ta)
Email:[email protected]

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