NTP6412ANG
NTP6412ANG
Artikelnummer:
NTP6412ANG
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 58A TO-220AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
87512 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
NTP6412ANG.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220AB
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:18.2 mOhm @ 58A, 10V
Verlustleistung (max):167W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Andere Namen:NTP6412ANG-ND
NTP6412ANGOS
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:3500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:100nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):100V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 100V 58A (Tc) 167W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:58A (Tc)
Email:[email protected]

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