NTP52N10
NTP52N10
Artikelnummer:
NTP52N10
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Enthält Blei / RoHS nicht konform
Anzahl:
93985 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
NTP52N10.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220AB
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:30 mOhm @ 26A, 10V
Verlustleistung (max):214W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Andere Namen:NTP52N10OS
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:3150pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:135nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):100V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 100V 60A (Ta) 214W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:60A (Ta)
Email:[email protected]

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