| Bedingung | New and Original |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Verteiler | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse: | ChipFET™ |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 58 mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| Leistung - max: | 1.1W |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-SMD, Flat Lead |
| Andere Namen: | NTHD2102PT1GOSCT |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 715pF @ 6.4V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 16nC @ 2.5V |
| Typ FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal: | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 8V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 3.4A 1.1W Surface Mount ChipFET™ |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 3.4A |
| Basisteilenummer: | NTHD2102P |
| Email: | [email protected] |
