NTB18N06LT4G
NTB18N06LT4G
Artikelnummer:
NTB18N06LT4G
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
43946 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
NTB18N06LT4G.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±10V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:D2PAK
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:100 mOhm @ 7.5A, 5V
Verlustleistung (max):48.4W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen:NTB18N06LT4GOS
NTB18N06LT4GOS-ND
NTB18N06LT4GOSTR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:440pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):5V
Drain-Source-Spannung (Vdss):60V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 60V 15A (Tc) 48.4W (Tc) Surface Mount D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:15A (Tc)
Email:[email protected]

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