NSS40300DDR2G
Artikelnummer:
NSS40300DDR2G
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
75355 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
NSS40300DDR2G.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):40V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:170mV @ 200mA, 2A
Transistor-Typ:2 PNP (Dual)
Supplier Device-Gehäuse:8-SOIC
Serie:-
Leistung - max:653mW
Verpackung:Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen:NSS40300DDR2GOSDKR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:7 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang:100MHz
detaillierte Beschreibung:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 40V 3A 100MHz 653mW Surface Mount 8-SOIC
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:180 @ 1A, 2V
Strom - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max):3A
Email:[email protected]

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