NSBA113EDXV6T1G
NSBA113EDXV6T1G
Artikelnummer:
NSBA113EDXV6T1G
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
68197 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
NSBA113EDXV6T1G.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 5mA, 10mA
Transistor-Typ:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse:SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie:-
Widerstand - Emitterbasis (R2):1 kOhms
Widerstand - Basis (R1):1 kOhms
Leistung - max:250mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:13 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang:-
detaillierte Beschreibung:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:3 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max):500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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