NP82N055PUG-E1-AY
NP82N055PUG-E1-AY
Artikelnummer:
NP82N055PUG-E1-AY
Hersteller:
Renesas Electronics America
Beschreibung:
MOSFET N-CH 55V 82A TO-263
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
59239 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
NP82N055PUG-E1-AY.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-263
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:5.2 mOhm @ 41A, 10V
Verlustleistung (max):1.8W (Ta), 143W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen:NP82N055PUG-E1-AY-ND
NP82N055PUG-E1-AYTR
Betriebstemperatur:175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:9600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:160nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):55V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 55V 82A (Tc) 1.8W (Ta), 143W (Tc) Surface Mount TO-263
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:82A (Tc)
Email:[email protected]

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