NJVBDX53C
NJVBDX53C
Artikelnummer:
NJVBDX53C
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Enthält Blei / RoHS nicht konform
Anzahl:
48685 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
NJVBDX53C.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
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Verteiler Boser Technology
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):100V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:2V @ 12mA, 3A
Transistor-Typ:NPN - Darlington
Supplier Device-Gehäuse:TO-220AB
Serie:-
Leistung - max:65W
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Betriebstemperatur:-
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenz - Übergang:-
detaillierte Beschreibung:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 65W Through Hole TO-220AB
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:750 @ 3A, 3V
Strom - Collector Cutoff (Max):500µA
Strom - Kollektor (Ic) (max):8A
Basisteilenummer:BDX53
Email:[email protected]

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