MURTA600120R
MURTA600120R
Artikelnummer:
MURTA600120R
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung:
DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
72222 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
MURTA600120R.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If:2.6V @ 300A
Spannung - Sperr (Vr) (max):1200V
Supplier Device-Gehäuse:Three Tower
Geschwindigkeit:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:-
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:Three Tower
Betriebstemperatur - Anschluss:-55°C ~ 150°C
Befestigungsart:Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:4 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp:Standard
Diodenkonfiguration:1 Pair Common Anode
detaillierte Beschreibung:Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 1200V 300A Chassis Mount Three Tower
Strom - Sperrleckstrom @ Vr:25µA @ 1200V
Strom - Richt (Io) (pro Diode):300A
Email:[email protected]

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