MURT20010R
MURT20010R
Artikelnummer:
MURT20010R
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung:
DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
82729 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
1.MURT20010R.pdf2.MURT20010R.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If:1.3V @ 100A
Spannung - Sperr (Vr) (max):100V
Supplier Device-Gehäuse:Three Tower
Geschwindigkeit:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Rückwärts-Erholzeit (Trr):75ns
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:Three Tower
Andere Namen:MURT20010RGN
Befestigungsart:Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:4 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp:Standard
Diodenkonfiguration:1 Pair Common Anode
detaillierte Beschreibung:Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 100V 200A (DC) Chassis Mount Three Tower
Strom - Sperrleckstrom @ Vr:25µA @ 50V
Strom - Richt (Io) (pro Diode):200A (DC)
Email:[email protected]

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