MT47H64M8SH-25E:H
Artikelnummer:
MT47H64M8SH-25E:H
Hersteller:
Micron Technology
Beschreibung:
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
44845 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
MT47H64M8SH-25E:H.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:15ns
Spannungsversorgung:1.7 V ~ 1.9 V
Technologie:SDRAM - DDR2
Supplier Device-Gehäuse:60-FBGA (8x10)
Serie:-
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:60-TFBGA
Betriebstemperatur:0°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Speichertyp:Volatile
Speichergröße:512Mb (64M x 8)
Speicherschnittstelle:Parallel
Speicherformat:DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA (8x10)
Uhrfrequenz:400MHz
Basisteilenummer:MT47H64M8
Zugriffszeit:400ps
Email:[email protected]

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