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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > MT29F4G01ABAFD12-AATES:F TR
MT29F4G01ABAFD12-AATES:F TR
Artikelnummer:
MT29F4G01ABAFD12-AATES:F TR
Hersteller:
Micron Technology
Beschreibung:
IC FLASH 4G SPI TBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
61649 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
MT29F4G01ABAFD12-AATES:F TR.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:-
Spannungsversorgung:2.7 V ~ 3.6 V
Technologie:FLASH - NAND
Serie:-
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Andere Namen:MT29F4G01ABAFD12-AATES:F TR-ND
MT29F4G01ABAFD12-AATES:FTR
Betriebstemperatur:-40°C ~ 105°C (TC)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Speichertyp:Non-Volatile
Speichergröße:4Gb (4G x 1)
Speicherschnittstelle:SPI
Speicherformat:FLASH
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:FLASH - NAND Memory IC 4Gb (4G x 1) SPI
Email:[email protected]

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