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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > MT29E2T08CTCBBJ7-6:B TR
MT29E2T08CTCBBJ7-6:B TR
Artikelnummer:
MT29E2T08CTCBBJ7-6:B TR
Hersteller:
Micron Technology
Beschreibung:
IC FLASH 2T PARALLEL 167MHZ
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
78458 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
MT29E2T08CTCBBJ7-6:B TR.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:-
Spannungsversorgung:2.7 V ~ 3.6 V
Technologie:FLASH - NAND
Serie:-
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Andere Namen:MT29E2T08CTCBBJ7-6:B TR-ND
MT29E2T08CTCBBJ7-6:BTR
Betriebstemperatur:0°C ~ 70°C (TA)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Speichertyp:Non-Volatile
Speichergröße:2Tb (256G x 8)
Speicherschnittstelle:Parallel
Speicherformat:FLASH
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:FLASH - NAND Memory IC 2Tb (256G x 8) Parallel 167MHz
Uhrfrequenz:167MHz
Email:[email protected]

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