| Bedingung | New and Original |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Verteiler | Boser Technology |
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | - |
| Spannungsversorgung: | 3 V ~ 3.6 V |
| Technologie: | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-DFN-EP, Large Flag (5x6) |
| Serie: | - |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-VDFN Exposed Pad |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Speichertyp: | Non-Volatile |
| Speichergröße: | 4Mb (512K x 8) |
| Speicherschnittstelle: | SPI |
| Speicherformat: | RAM |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung: | MRAM (Magnetoresistive RAM) Memory IC 4Mb (512K x 8) SPI 40MHz 8-DFN-EP, Large Flag (5x6) |
| Uhrfrequenz: | 40MHz |
| Email: | [email protected] |
