JANTXV2N5014S - Microsemi Transistoren-Bipolar (BJT)-Einzel

JANTXV2N5014S

Artikelnummer:: JANTXV2N5014S

Hersteller:: Microsemi

Beschreibung:: NPN TRANSISTOR

[LeadFreeStatus]未找到翻译: RoHS nicht konform

Anzahl:: 43974 Pieces

Lieferzeit:: 1-2 days

Datenblatt:: JANTXV2N5014S.pdf

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Spezifikation

Bedingung	New and Original
Ursprung	Contact us
Verteiler	Boser Technology
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	900V
Transistor-Typ:	NPN
Supplier Device-Gehäuse:	TO-39 (TO-205AD)
Serie:	Military, MIL-PRF-19500/727
RoHS-Status:	RoHS non-compliant
Leistung - max:	1W
Verpackung / Gehäuse:	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Betriebstemperatur:	-65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Frequenz - Übergang:	-
detaillierte Beschreibung:	Bipolar (BJT) Transistor NPN 900V 200mA 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:	30 @ 20mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max):	10nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max):	200mA
Email:	[email protected]

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